10 октября 2000 года Шведская Королевская академия наук объявила очередных лауреатов Нобелевской премии по физике. Самой высокой в мире награды в том году был удостоен академик РАН Ж. Алферов. До этого советским (российским) физикам принадлежало 7 Нобелевских премий. Их получали: Илья Франк, Игорь Тамм и Павел Черенков (в 1958 г.), Лев Ландау (в 1962 г.), Александр Прохоров и Николай Басов (в 1964 г.), Петр Капица (в 1978 г.).
Жорес Иванович Алферов родился 15 марта 1930 года в г. Витебске (ныне Белоруссия). В 1952 году окончил факультет электроники Ленинградского электротехнического института им. В.И.Ульянова (ЛЭТИ) по специальности электровакуумная техника. Интересно, что в одной группе с Жоресом Ивановичем учились начальник отдела внедрения «Истока» Владимир Иванович Чибисов и ведущий разработчик Александра Васильевна Светлицкая, а, возможно, и другие выпускники ЛЭТИ. В 1961 году Ж. Алферов защитил кандидатскую диссертацию, а в 1970 г. - докторскую.
С 1953 года он работает в Физико-техническом институте им. А. Иоффе РАН (с 1987 г. по настоящее время - директором). С 1990 Ж. Алферов - вице президент РАН, председатель президиума С - Петербургского научного центра РАН. Заведующий базовой кафедрой оптоэлектроники Электротехнического института, декан Физико-технического факультета С - Петербургского государственного технического университета. Редактор нескольких научно-технических журналов. Автор более 200 публикаций и нескольких монографий, среди которых «Гетеропереходы в полупроводниках», непосредственно связанная с присужденной наградой. Ж. Алферов - депутат Государственной думы трех созывов.
Официально Ж. Алферов был удостоен Нобелевской премии «за разработку разнородных составов полупроводников, которые применяются в высокоскоростной и оптической электронике».
К разнородным составам полупроводников, в частности, относятся гетеропереходы (или гетероструктуры) - многослойные структуры, содержащие периодически повторяющиеся слои из различных полупроводников. Отметим некоторые выдающиеся научные достижения Ж. Алферова в этой области физики и техники полупроводников. «Он открыл явление сверхинжекции в гетероструктурах и показал, что в полупроводниковых структурах можно принципиально по - новому управлять электронными и световыми потоками. Получил первые «идеальные» гетероструктуры, составленные из арсенида галлия и твердого раствора арсенида галлия - арсенида алюминия. Предложил и создал полупроводниковые лазеры на основе двойных гетероструктур и реализовал непрерывный режим их работы при комнатной температуре».
Кроме того, он принимал участие в создании первых отечественных транзисторов, фотодиодов, мощных германиевых выпрямителей. Исследования, начатые Ж.И. Алферовым, нашли свое дальнейшее развитие в многочисленных работах отечественных и зарубежных ученых. На «Истоке» в теоретическом отделении исследования полупроводниковых гетероструктур в области СВЧ и устройств на их основе были начаты под руководством профессора А.С. Тагера с сотрудниками А.А. Кальфой, Е.И. Голантом, А.Б. Пашковским. Экспериментальные работы проводились на «Истоке» В.А. Красником, А.М. Темновым, П.С. Белоусовым, А. Крюковым, В. Михайловым и другими учеными. Работы в этом направлении продолжаются и в настоящее время под руководством доктора технических наук Э.А. Гельвича и кандидата технических наук, начальника теоретического отделения А.В. Галдецкого.
(2000 г.)