Александр Семенович Тагер часть 7
Воскресенье, 07 Октябрь 2012 00:18

Помимо эмоциональных нагрузок А.С. Тагеру пришлось выдержать нелегкие физические испытания. В 1972 году в Харькове он попал в автомобильную катастрофу, в результате чего погибла сестра, а сам Александр Семенович лишь чудом остался в живых. Собранный буквально «по частям», он, преодолев огромные трудности, пролежав почти два года на больничной койке, возвратился в строй и возглавил вновь созданный молодежный научный коллектив.

В апреле 1972 года за несколько месяцев до трагического случая А.С. Тагер по предложению начальника теоретического отдела В.П. Сазонова вернулся в родной теоретический отдел и с интересом взялся за руководство лабораторией, основным направлением которой было разработка теории и методов проектирования твердотельных приборов и устройств СВЧ. Даже тяжелый недуг тогда не смог оторвать его от творческой научной работы. Находясь в больнице, он пишет замечательные работы, в которых подробно анализирует предельные возможности полупроводниковых СВЧ приборов и  предлагает пути улучшения параметров этих приборов. В одной из них он впервые указывает на перспективность применения в мощных приборах алмазных теплоотводов и нового материала - карбида кремния. Интерес к этому материалу не прерывался у него на протяжении последующих лет. Он активно пропагандировал карбид кремния для создания диодов и транзисторов СВЧ, со свойственной ему энергией и решительностью вместе с академиком Н.Д. Девятковым на всех уровнях власти отстаивал необходимость отечественного выпуска перспективного материала.

А.С. Тагер даже в самые тяжелые для себя дни продолжал руководить вверенной ему лабораторией. Ему оказалось под силу создать новый дружный коллектив молодых ученых и инженеров, найти области применения своего не дюжего таланта, изыскать оригинальные решения сложных и актуальных проблем, воодушевлять энтузиазмом своих сотрудников. В этом коллективе произошло становление нового поколения ученых: докторов физико - математических наук В.Б. Сулимова, А.А. Кальфы и А.Б. Пашковского, кандидатов наук Э.В. Погореловой, С.М. Овечкина, С.Б. Пореша, Б.А. Головко, Л.В. Манченко, А.К. Балыко, известных в стране специалистов Е.И. Голанта, Н.А. Гусельникова, Я.Б. Мартынова и многих других.

Вместе с Е.И. Голантом и Э.В. Погореловой Александр Семенович продолжает работы по моделированию ЛПД в нелинейном режиме с учетом «тонких» эффектов: изменения с амплитудой колебаний характеристической частоты диода, движения границы обедненной области диода под действием СВЧ - напряжения и т.п. и исследованию преобразования энергии в ЛПД со ступенчатым профилем легирования, технология улучшивая эффективность сборки в машиностроении.

Дальнейшие его работы связаны с установлением закономерностей в импульсных ЛПД, с исследованием работы ЛПД в области миллиметровых длин волн, в том числе ЛПД с алмазным теплоотводом, исследованием СВЧ - шума лавинного пробоя p – n - перехода в карбиде кремния, сравнительным анализом свойств различных полупроводниковых материалов (включая широкозонные алмаз и карбид кремния) для мощных ЛПД. Отметим также ряд оригинальных работ по исследованию параметрического возбуждения субгармонических колебаний в генераторах на ЛПД, выполненных им совместно с С.М. Овечкиным, и изучению механизма развала спектра в двухконтурном генераторе на ЛПД, связанного с появлением странных аттракторов.

В 1968 году А.С. Тагером, В.М. Вальд - Перловым и И.М. Мартиросовым впервые был предложен гетероструктурный ЛПД. Продолжая работы в этом направлении, А.С. Тагер публикует целую серию работ по теоретическому моделированию и расчету диодов СВЧ со слоистой структурой, выполненной из материалов, различающихся значениями подвижностей носителей тока. В них он впервые показал, что такие структуры позволяют обойти ограничения, накладываемые на размеры диода пролетными эффектами и в несколько раз (равному числу слоев структуры) увеличить толщину диодного промежутка и полный угол пролета носителей заряда в этом промежутке. При этом во столько же раз повысится максимальная подводимая мощность, а следовательно, и полезная мощность. Примечательно, что оптимальная структура оказывается существенно непериодической - толщины слоев следует выбирать так, чтобы угол пролета электроном пары разнородных слоев был равен 180 градусов. Проведенные теоретические исследования и интуиция изобретателя позволила ему предложить ряд оригинальных конструкций СВЧ диодов и транзисторов.

Это направление, начало которому, по - существу, в нашей стране положили работы А.С. Тагера, нашло бурное развитие в 80 - е годы. Значительная часть теоретических исследований касалась наиболее перспективных гетероструктурных полупроводниковых приборов, выполненных из нескольких полупроводниковых материалов. Развитие этого принципа привело к идее полевого транзистора на гетероструктуре с селективным легированием. Этот транзистор был предложен в 1980 году А.С. Тагером и А.А. Кальфой и одновременно и независимо учеными Японии и США. Гетероструктурные полевые транзисторы существенно превосходят гомоструктурные аналоги по всем основным параметрам - чувствительности, выходной мощности, максимальным рабочим частотам. В настоящее время эти транзисторы заменяют ПТШ как в приемных, так и в передающих цепях СВЧ устройств, особенно в коротковолновой части сантиметрового и в миллиметровом диапазонах длин волн. Сотрудничество с А.А. Кальфой было, пожалуй, самым плодотворным в творческой биографии А.С. Тагера. Ими совместно, а также в соавторстве с другими молодыми учеными было опубликовано более 30 статей по теории и моделированию диодов Ганна и полевых транзисторов с барьером Шотки, исследованию гетероструктур с селективным легированием. Число решенных задач здесь настолько велико, а оригинальность полученных результатов настолько впечатляюща, что рамки настоящей статьи не позволяют провести хотя бы краткий их анализ, поэтому отошлем читателя к замечательным обзорным статьям по этим направлениям.